纳米功率集成电路晶圆

gtocore:nm_wafer，来自 GTOCore

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类型: 物品
模组: GTOCore
ID: gtocore:nm_wafer
游戏版本: 0.6.0-dev19（普通）

合成方式

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电压

全部5 LuV1 UV3 UEV1

维度聚焦激光蚀刻阵列产出纳米功率集成电路晶圆查看配方
 不消耗 100mB
UV
耗时
45 秒
总计
442,368,000 EU
耗能功率
491,520 EU/t
条件与说明
- 需要研究
精密激光蚀刻产出纳米功率集成电路晶圆查看配方
不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗 1B
UV
耗时
45 秒
总计
442,368,000 EU
耗能功率
491,520 EU/t
扫描仪产出纳米功率集成电路晶圆查看配方

UV
耗时
120 秒
总计
1,179,648,000 EU
耗能功率
491,520 EU/t

用途

查看全部 5 条

电压

全部5 LuV2 UV1 UHV1 UEV1

装配线产出真·终极电池查看配方
16 16 8 4 8 64 64 64 64 64 64 64 64 64 17.28B 5.76B 1.3B 2.59B
UHV
耗时
120 秒
总计
4,718,592,000 EU
耗能功率
1,966,080 EU/t
条件与说明
- 研究自科技节点终极电池II
- 需要研究
组装机产出强导压太阳能板（IV）查看配方
16 16 16 64 16 8 32 8 4 3B
LuV
耗时
10 秒
总计
6,144,000 EU
耗能功率
30,720 EU/t
切割机产出纳米功率集成电路查看配方
 900mB 4
LuV
耗时
90 秒
总计
55,296,000 EU
耗能功率
30,720 EU/t
条件与说明
- 需要超净间