NAND存储器晶圆

gtceu:nand_memory_wafer，来自 GregTech

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类型: 物品
模组: GregTech
ID: gtceu:nand_memory_wafer
游戏版本: 0.6.0-dev19（普通）

合成方式

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电压

全部8 HV1 EV2 IV2 LuV1 ZPM1 UV1

维度聚焦激光蚀刻阵列产出 NAND存储器晶圆查看配方
 不消耗 5mB 4
IV
耗时
5 秒
总计
768,000 EU
耗能功率
7,680 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
激光蚀刻机产出 NAND存储器晶圆查看配方
不消耗 4
EV
耗时
25 秒
总计
960,000 EU
耗能功率
1,920 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
维度聚焦激光蚀刻阵列产出 NAND存储器晶圆查看配方
 不消耗 6mB 8
LuV
耗时
2 秒
总计
1,228,800 EU
耗能功率
30,720 EU/t
条件与说明
- 需要超净间

用途

电压

全部2 HV1 UEV1

切割机产出 NAND存储器芯片查看配方
 60mB 32
HV
耗时
45 秒
总计
172,800 EU
耗能功率
192 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
冲压机床产出奇异RAM晶圆查看配方

UEV
耗时
17.5 秒
总计
2,752,512,000 EU
耗能功率
7,864,320 EU/t
条件与说明
- 需要超净间