锗调节硅晶圆

gtocore:germanium_doped_silicon_wafer，来自 GTOCore

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类型: 物品
模组: GTOCore
ID: gtocore:germanium_doped_silicon_wafer
游戏版本: 0.6.0-dev19（普通）

合成方式

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切割机产出锗调节硅晶圆查看配方
 800mB 64
EV
耗时
80 秒
总计
3,072,000 EU
耗能功率
1,920 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
切割机产出锗调节硅晶圆查看配方
 640mB 64
EV
耗时
64 秒
总计
2,457,600 EU
耗能功率
1,920 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
切割机产出锗调节硅晶圆查看配方
 512mB 64
EV
耗时
51.2 秒
总计
1,966,080 EU
耗能功率
1,920 EU/t
条件与说明
- 需要超净间

用途

电压

全部2 ZPM1 UV1

维度聚焦激光蚀刻阵列产出 FPGA晶圆查看配方
 不消耗 8mB
UV
耗时
5 秒
总计
52,400,000 EU
耗能功率
524,000 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
激光蚀刻机产出 FPGA晶圆查看配方
不消耗
ZPM
耗时
25 秒
总计
65,500,000 EU
耗能功率
131,000 EU/t
条件与说明
- 需要超净间