光刻胶

gtocore:photoresist，来自 GTOCore

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类型: 流体
模组: GTOCore
ID: gtocore:photoresist
游戏版本: 0.6.0-dev19（普通）

合成方式

电压

全部2 EV1 UEV1

大型化学反应釜产出光刻胶查看配方
1B 1B 100mB 1B
EV
耗时
40 秒
总计
1,536,000 EU
耗能功率
1,920 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
聚合物扭曲模块 - 纳米集成加工中心产出污染的乌鲁纳米蜂群查看配方
 91 60 42 80B 7B 81B 15B 39B 47B 16B
UEV
耗时
480 秒
总计
75,497,472,000 EU
耗能功率
7,864,320 EU/t
条件与说明
- 温度：16,200K
- 线圈：精金

用途

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电压

全部213 MV36 HV6 EV113 IV15 LuV12 UV25 UHV2 OpV1

维度聚焦激光蚀刻阵列产出 ASoC晶圆查看配方
 不消耗 8mB 8
UV
耗时
1.25 秒
总计
12,288,000 EU
耗能功率
491,520 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
精密激光蚀刻产出纳米功率集成电路晶圆查看配方
不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗 1B
UV
耗时
45 秒
总计
442,368,000 EU
耗能功率
491,520 EU/t
搅拌机产出 EUV光刻胶查看配方
31 1B 1B 1B
UV
耗时
20 秒
总计
209,715,200 EU
耗能功率
524,288 EU/t
条件与说明
- 需要超净间