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超高纯单晶硅

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详情合成方式（1）用途（1）版本历史
超高纯单晶硅
类型
物品
模组
GTOCore
ID
gtocore:high_purity_single_crystal_silicon
游戏版本
0.6.0-dev19（普通）

合成方式

  • 结晶产出 超高纯单晶硅查看配方
    20.74B8B
    ZPM
    耗时
    1,050 秒
    总计
    2,580,480,000 EU
    耗能功率
    122,880 EU/t
    条件与说明
    • 温度：8,684K
    • 线圈：凯金

用途

  • 超临界合成产出 光聚合物涂覆的掺𬭶单晶硅查看配方
    210B2.3B2B
    UEV
    耗时
    50 秒
    总计
    7,864,320,000 EU
    耗能功率
    7,864,320 EU/t