光刻掩膜

gtocore:lithography_mask，来自 GTOCore

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类型: 物品
模组: GTOCore
ID: gtocore:lithography_mask
游戏版本: 0.6.0-dev19（普通）

合成方式

电压

全部2 HV1 EV1

精密组装产出光刻掩膜查看配方
64 16 288mB 288mB 288mB 288mB
HV
耗时
60 秒
总计
576,000 EU
耗能功率
480 EU/t
条件与说明
- 需要无菌超净间
拆解拆解光栅光刻掩膜查看配方

EV
耗时
10 秒
总计
384,000 EU
耗能功率
1,920 EU/t

用途

查看全部 7 条

电压

全部7 EV1 UV1 UHV3 UEV1 UIV1

精密激光蚀刻产出高精度晶体SoC查看配方
不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗 1B
UEV
耗时
120 秒
总计
18,874,368,000 EU
耗能功率
7,864,320 EU/t
组装机产出光栅光刻掩膜查看配方

EV
耗时
10 秒
总计
384,000 EU
耗能功率
1,920 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
射线束引导计算测试产出光刻掩膜查看配方
4 2B
UHV
耗时
120 秒
总计
2,577,600,000 EU
耗能功率
1,074,000 EU/t
条件与说明
- 可获得的研究点数
- 光束波长：749 nm~751 nm
- 光束强度：>6400 a.u.
- 真空等级：4
- 需要749nm~751nm波长,6400a.u.以上强度的光束