RAM晶圆

gtceu:ram_wafer，来自 GregTech

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类型: 物品
模组: GregTech
ID: gtceu:ram_wafer
游戏版本: 0.6.0-dev19（普通）

合成方式

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电压

全部10 MV1 HV2 EV2 IV2 LuV1 ZPM1 UV1

维度聚焦激光蚀刻阵列产出 RAM晶圆查看配方
 不消耗 5mB 8
IV
耗时
2 秒
总计
307,200 EU
耗能功率
7,680 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
激光蚀刻机产出 RAM晶圆查看配方
不消耗 8
EV
耗时
10 秒
总计
384,000 EU
耗能功率
1,920 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
维度聚焦激光蚀刻阵列产出 RAM晶圆查看配方
 不消耗 6mB 16
LuV
耗时
0.5 秒
总计
307,200 EU
耗能功率
30,720 EU/t
条件与说明
- 需要超净间

用途

电压

全部3 MV1 UHV1 UIV1

冲压机床产出寰宇RAM晶圆查看配方

UIV
耗时
27.5 秒
总计
17,301,504,000 EU
耗能功率
31,457,280 EU/t
条件与说明
- 需要绝对超净间
切割机产出 RAM芯片查看配方
 30mB 32
MV
耗时
45 秒
总计
86,400 EU
耗能功率
96 EU/t
冲压机床产出光学RAM晶圆查看配方

UHV
耗时
7.5 秒
总计
294,912,000 EU
耗能功率
1,966,080 EU/t
条件与说明
- 需要超净间