电子级硅晶种

电子级硅晶种
Si(₆N)
类型
物品
模组
GTOCore
ID
gtocore:electronic_grade_silicon_crystal_seed
游戏版本
0.6.0-dev19(普通)

合成方式

  • 切割机产出 电子级硅晶种查看配方
    HV
    耗时
    240 秒
    总计
    2,304,000 EU
    耗能功率
    480 EU/t
  • 结晶产出 锗调节单晶硅查看配方
    ZPM
    耗时
    750 秒
    总计
    1,965,000,000 EU
    耗能功率
    131,000 EU/t
    条件与说明
    • 温度:8,800K
    • 线圈:凯金
  • 结晶产出 硅岩掺杂的单晶硅查看配方
    EV
    耗时
    750 秒
    总计
    28,800,000 EU
    耗能功率
    1,920 EU/t
    条件与说明
    • 温度:5,400K
    • 线圈:高速钢-G
  • 结晶产出 中子素掺杂的单晶硅查看配方
    IV
    耗时
    900 秒
    总计
    138,240,000 EU
    耗能功率
    7,680 EU/t
    条件与说明
    • 温度:6,484K
    • 线圈:硅岩