高纯多晶硅

gtocore:high_purity_silicon_boule，来自 GTOCore

视图

详情合成方式（1）用途（1）版本历史

类型: 物品
模组: GTOCore
ID: gtocore:high_purity_silicon_boule
游戏版本: 0.6.0-dev19（普通）

合成方式

化学气相沉积产出高纯多晶硅查看配方
32B 64B
IV
耗时
600 秒
总计
92,160,000 EU
耗能功率
7,680 EU/t
条件与说明
- 真空等级：4

用途

电力高炉产出区域熔炼的多晶硅查看配方
 1B
HV
耗时
300 秒
总计
2,880,000 EU
耗能功率
480 EU/t
条件与说明
- 温度：5000K
- 线圈：高速钢-G