中子素掺杂的单晶硅

中子素掺杂的单晶硅
电路原料
类型
物品
模组
GregTech
ID
gtceu:neutronium_boule
游戏版本
0.6.0-dev19(普通)

合成方式

  • 结晶产出 中子素掺杂的单晶硅查看配方
    IV
    耗时
    900 秒
    总计
    138,240,000 EU
    耗能功率
    7,680 EU/t
    条件与说明
    • 温度:6,484K
    • 线圈:硅岩
  • 切割机产出 中子素掺杂的晶圆查看配方
    IV
    耗时
    120 秒
    总计
    18,432,000 EU
    耗能功率
    7,680 EU/t
    条件与说明
    • 需要超净间
  • 电力高炉产出 𬬻强化的安普洛掺杂的单晶硅查看配方
    LuV
    耗时
    1,050 秒
    总计
    645,120,000 EU
    耗能功率
    30,720 EU/t
    条件与说明
    • 温度:8100K
    • 线圈:凯金
  • 切割机产出 中子素掺杂的晶圆查看配方
    IV
    耗时
    96 秒
    总计
    14,745,600 EU
    耗能功率
    7,680 EU/t
    条件与说明
    • 需要超净间