电子束蚀刻的多晶硅

gtocore:etched_silicon_boule，来自 GTOCore

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类型: 物品
模组: GTOCore
ID: gtocore:etched_silicon_boule
游戏版本: 0.6.0-dev19（普通）

合成方式

电压

全部2 ZPM1 UV1

维度聚焦激光蚀刻阵列产出电子束蚀刻的多晶硅查看配方
 不消耗 8mB 10mB1%
UV
耗时
6 秒
总计
58,982,400 EU
耗能功率
491,520 EU/t
条件与说明
- 真空等级：4
激光蚀刻机产出电子束蚀刻的多晶硅查看配方
不消耗 10mB1%
ZPM
耗时
30 秒
总计
73,728,000 EU
耗能功率
122,880 EU/t
条件与说明
- 真空等级：4

用途

高压釜产出浮区提纯的多晶硅查看配方

EV
耗时
120 秒
总计
4,608,000 EU
耗能功率
1,920 EU/t
条件与说明
- 真空等级：4