EUV光刻胶

gtocore:euv_photoresist，来自 GTOCore

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类型: 流体
模组: GTOCore
ID: gtocore:euv_photoresist
游戏版本: 0.6.0-dev19（普通）

合成方式

电压

全部2 UV1 OpV1

搅拌机产出 EUV光刻胶查看配方
31 1B 1B 1B
UV
耗时
20 秒
总计
209,715,200 EU
耗能功率
524,288 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
聚合物扭曲模块 - 纳米集成加工中心产出污染的魔金纳米蜂群查看配方
 30 56 40 50 60 55 12B 75B 8B 4.7B 89B 40B 57B 21.6B
OpV
耗时
640 秒
总计
6,442,450,944,000 EU
耗能功率
503,316,480 EU/t
条件与说明
- 温度：21,600K
- 线圈：星辉

用途

查看全部 10 条

电压

全部10 UHV3 UEV3 UXV1

维度聚焦激光蚀刻阵列产出衍射光栅镜查看配方
 不消耗 6mB
UXV
耗时
6 秒
总计
15,099,494,400 EU
耗能功率
125,829,120 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
精密激光蚀刻产出高精度晶体SoC查看配方
不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗 1B
UEV
耗时
120 秒
总计
18,874,368,000 EU
耗能功率
7,864,320 EU/t
搅拌机产出 γ射线光刻胶查看配方
29 4 1B 1B 1B
UHV
耗时
40 秒
总计
1,572,864,000 EU
耗能功率
1,966,080 EU/t
条件与说明
- 需要超净间