γ射线光刻胶

gtocore:gamma_rays_photoresist，来自 GTOCore

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类型: 流体
模组: GTOCore
ID: gtocore:gamma_rays_photoresist
游戏版本: 0.6.0-dev19（普通）

合成方式

搅拌机产出 γ射线光刻胶查看配方
29 4 1B 1B 1B
UHV
耗时
40 秒
总计
1,572,864,000 EU
耗能功率
1,966,080 EU/t
条件与说明
- 需要超净间

用途

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电压

全部7 UEV2 UIV2

维度聚焦激光蚀刻阵列产出飞米功率集成电路晶圆查看配方
 不消耗 100mB
UEV
耗时
135 秒
总计
21,233,664,000 EU
耗能功率
7,864,320 EU/t
条件与说明
- 需要研究
精密激光蚀刻产出飞米功率集成电路晶圆查看配方
不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗 1B
UEV
耗时
140 秒
总计
22,020,096,000 EU
耗能功率
7,864,320 EU/t
维度聚焦激光蚀刻阵列产出预备寰宇SoC晶圆查看配方
 不消耗 100mB
UIV
耗时
240 秒
总计
150,994,944,000 EU
耗能功率
31,457,280 EU/t
条件与说明
- 需要研究