碳化硅宽禁带半导体单晶硅

gtocore:sic_wide_bandgap_semiconductor_single_crystal，来自 GTOCore

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类型: 物品
模组: GTOCore
ID: gtocore:sic_wide_bandgap_semiconductor_single_crystal
游戏版本: 0.6.0-dev19（普通）

合成方式

结晶产出碳化硅宽禁带半导体单晶硅查看配方
 20.74B 8B
ZPM
耗时
750 秒
总计
1,965,000,000 EU
耗能功率
131,000 EU/t
条件与说明
- 温度：8,800K
- 线圈：凯金

用途

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切割机产出碳化硅宽禁带半导体晶圆查看配方
 800mB 64
EV
耗时
80 秒
总计
3,072,000 EU
耗能功率
1,920 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
切割机产出碳化硅宽禁带半导体晶圆查看配方
 640mB 64
EV
耗时
64 秒
总计
2,457,600 EU
耗能功率
1,920 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
切割机产出碳化硅宽禁带半导体晶圆查看配方
 512mB 64
EV
耗时
51.2 秒
总计
1,966,080 EU
耗能功率
1,920 EU/t
条件与说明
- 需要超净间