IGBT晶圆

gtocore:igbt_wafer，来自 GTOCore

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类型: 物品
模组: GTOCore
ID: gtocore:igbt_wafer
游戏版本: 0.6.0-dev19（普通）

合成方式

电压

全部2 ZPM1 UV1

维度聚焦激光蚀刻阵列产出 IGBT晶圆查看配方
 不消耗 8mB
UV
耗时
5 秒
总计
52,400,000 EU
耗能功率
524,000 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
激光蚀刻机产出 IGBT晶圆查看配方
不消耗
ZPM
耗时
25 秒
总计
65,500,000 EU
耗能功率
131,000 EU/t
条件与说明
- 需要超净间

用途

查看全部 7 条

切割机产出 IGBT芯片查看配方
 450mB 6
IV
耗时
45 秒
总计
6,912,000 EU
耗能功率
7,680 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
切割机产出 IGBT芯片查看配方
 360mB 6
IV
耗时
36 秒
总计
5,529,600 EU
耗能功率
7,680 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
切割机产出 IGBT芯片查看配方
 288mB 6
IV
耗时
28.8 秒
总计
4,423,680 EU
耗能功率
7,680 EU/t
条件与说明
- 需要超净间