HASoC晶圆

gtceu:highly_advanced_soc_wafer，来自 GregTech

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类型: 物品
模组: GregTech
ID: gtceu:highly_advanced_soc_wafer
游戏版本: 0.6.0-dev19（普通）

合成方式

查看全部 4 条

电压

全部4 IV1 LuV1 ZPM1 UV1

维度聚焦激光蚀刻阵列产出 HASoC晶圆查看配方
 不消耗 6mB
LuV
耗时
9 秒
总计
5,529,600 EU
耗能功率
30,720 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
激光蚀刻机产出 HASoC晶圆查看配方
不消耗
IV
耗时
45 秒
总计
6,912,000 EU
耗能功率
7,680 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
维度聚焦激光蚀刻阵列产出 HASoC晶圆查看配方
 不消耗 8mB 4
UV
耗时
2.25 秒
总计
22,118,400 EU
耗能功率
491,520 EU/t
条件与说明
- 需要超净间

用途

查看全部 10 条

电压

全部10 IV7 UHV1 UEV2

切割机产出 HASoC查看配方
 450mB 6
IV
耗时
45 秒
总计
6,912,000 EU
耗能功率
7,680 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
维度聚焦激光蚀刻阵列产出奇异晶圆查看配方
不消耗 5mB
UEV
耗时
6 秒
总计
943,718,400 EU
耗能功率
7,864,320 EU/t
条件与说明
- 需要超净间
激光蚀刻机产出奇异晶圆查看配方
不消耗
UHV
耗时
30 秒
总计
1,179,648,000 EU
耗能功率
1,966,080 EU/t
条件与说明
- 需要超净间