SoC晶圆

SoC晶圆
基础电路原料
类型
物品
模组
GregTech
ID
gtceu:soc_wafer
游戏版本
0.6.0-dev19(普通)

合成方式

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  • 维度聚焦激光蚀刻阵列产出 SoC晶圆查看配方
    IV
    耗时
    5 秒
    总计
    768,000 EU
    耗能功率
    7,680 EU/t
    条件与说明
    • 需要超净间
  • 激光蚀刻机产出 SoC晶圆查看配方
    EV
    耗时
    25 秒
    总计
    960,000 EU
    耗能功率
    1,920 EU/t
    条件与说明
    • 需要超净间
  • 维度聚焦激光蚀刻阵列产出 SoC晶圆查看配方
    LuV
    耗时
    2 秒
    总计
    1,228,800 EU
    耗能功率
    30,720 EU/t
    条件与说明
    • 需要超净间

用途

  • 切割机产出 SoC查看配方
    HV
    耗时
    45 秒
    总计
    432,000 EU
    耗能功率
    480 EU/t
    条件与说明
    • 需要超净间