皮米功率集成电路晶圆

gtocore:pm_wafer，来自 GTOCore

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类型: 物品
模组: GTOCore
ID: gtocore:pm_wafer
游戏版本: 0.6.0-dev19（普通）

合成方式

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电压

全部7 LuV1 UHV3 UIV2 UXV1

维度聚焦激光蚀刻阵列产出皮米功率集成电路晶圆查看配方
 不消耗 100mB
UHV
耗时
90 秒
总计
3,538,944,000 EU
耗能功率
1,966,080 EU/t
条件与说明
- 需要研究
精密激光蚀刻产出皮米功率集成电路晶圆查看配方
不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗不消耗 1B
UHV
耗时
90 秒
总计
3,538,944,000 EU
耗能功率
1,966,080 EU/t
扫描仪产出皮米功率集成电路晶圆查看配方

UHV
耗时
120 秒
总计
4,718,592,000 EU
耗能功率
1,966,080 EU/t

用途

查看全部 8 条

电压

全部8 LuV1 ZPM1 UHV1 UEV2 UIV2 UXV1

装配线产出戴森球接收站查看配方
4 16 16 4 64 16 32 4 16 12B 12.8B 576B 576B
UIV
耗时
80 秒
总计
50,331,648,000 EU
耗能功率
31,457,280 EU/t
条件与说明
- 研究自科技节点戴森球建造技术
- 需要研究
组装机产出剧差压太阳能板（LuV）查看配方
4 16 16 16 2 4 4 576mB
LuV
耗时
60 秒
总计
36,864,000 EU
耗能功率
30,720 EU/t
切割机产出皮米功率集成电路查看配方
 900mB 4
ZPM
耗时
90 秒
总计
221,184,000 EU
耗能功率
122,880 EU/t
条件与说明
- 需要超净间