中子素掺杂的晶圆

中子素掺杂的晶圆
电路原料
类型
物品
模组
GregTech
ID
gtceu:neutronium_wafer
游戏版本
0.6.0-dev19(普通)

合成方式

查看全部 8 条
  • 切割机产出 中子素掺杂的晶圆查看配方
    IV
    耗时
    120 秒
    总计
    18,432,000 EU
    耗能功率
    7,680 EU/t
    条件与说明
    • 需要超净间
  • 切割机产出 中子素掺杂的晶圆查看配方
    IV
    耗时
    96 秒
    总计
    14,745,600 EU
    耗能功率
    7,680 EU/t
    条件与说明
    • 需要超净间
  • 切割机产出 中子素掺杂的晶圆查看配方
    IV
    耗时
    76.8 秒
    总计
    11,796,480 EU
    耗能功率
    7,680 EU/t
    条件与说明
    • 需要超净间
  • 维度聚焦激光蚀刻阵列产出 ASoC晶圆查看配方
    LuV
    耗时
    5 秒
    总计
    3,072,000 EU
    耗能功率
    30,720 EU/t
    条件与说明
    • 需要超净间
  • 激光蚀刻机产出 ASoC晶圆查看配方
    IV
    耗时
    25 秒
    总计
    3,840,000 EU
    耗能功率
    7,680 EU/t
    条件与说明
    • 需要超净间
  • 组装机产出 高压太阳能板(HV)查看配方
    EV
    耗时
    10 秒
    总计
    384,000 EU
    耗能功率
    1,920 EU/t