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物品
中子素掺杂的晶圆
图鉴
0.6.0-dev19(普通)
物品
中子素掺杂的晶圆
版本
0.6.0-dev19
最新
简单
普通
专家
对比
物品
24,566
配方
115,833
科技树
154
中子素掺杂的晶圆
gtceu:neutronium_wafer,来自 GregTech
视图
详情
合成方式(8)
用途(26)
版本历史
中子素掺杂的晶圆
电路原料
类型
物品
模组
GregTech
ID
gtceu:neutronium_wafer
游戏版本
0.6.0-dev19(普通)
合成方式
查看全部 8 条
电压
全部
8
EV
1
IV
7
切割机
产出
中子素掺杂的晶圆
查看配方
1.2B
64
32
IV
耗时
120 秒
总计
18,432,000 EU
耗能功率
7,680 EU/t
条件与说明
需要超净间
切割机
产出
中子素掺杂的晶圆
查看配方
960mB
64
32
IV
耗时
96 秒
总计
14,745,600 EU
耗能功率
7,680 EU/t
条件与说明
需要超净间
切割机
产出
中子素掺杂的晶圆
查看配方
768mB
64
32
IV
耗时
76.8 秒
总计
11,796,480 EU
耗能功率
7,680 EU/t
条件与说明
需要超净间
用途
查看全部 26 条
电压
全部
26
EV
1
IV
12
LuV
12
UV
1
维度聚焦激光蚀刻阵列
产出
ASoC晶圆
查看配方
不消耗
6mB
2
LuV
耗时
5 秒
总计
3,072,000 EU
耗能功率
30,720 EU/t
条件与说明
需要超净间
激光蚀刻机
产出
ASoC晶圆
查看配方
不消耗
2
IV
耗时
25 秒
总计
3,840,000 EU
耗能功率
7,680 EU/t
条件与说明
需要超净间
组装机
产出
高压太阳能板(HV)
查看配方
2
16
16
64
16
16
1B
EV
耗时
10 秒
总计
384,000 EU
耗能功率
1,920 EU/t